ёмкость инверсионного слоя
- ёмкость инверсионного слоя
- apgrąžinio sluoksnio talpa
statusas T sritis radioelektronika
atitikmenys: angl. inversion layer capacitance
vok. Inversionsschichtkapazität, f
rus. ёмкость инверсионного слоя, f
pranc. capacité de la couche d'inversion, f
Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“.
Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas.
2000.
Look at other dictionaries:
Inversionsschichtkapazität — apgrąžinio sluoksnio talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inversion layer capacitance vok. Inversionsschichtkapazität, f rus. ёмкость инверсионного слоя, f pranc. capacité de la couche d inversion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
apgrąžinio sluoksnio talpa — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inversion layer capacitance vok. Inversionsschichtkapazität, f rus. ёмкость инверсионного слоя, f pranc. capacité de la couche d inversion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
capacité de la couche d'inversion — apgrąžinio sluoksnio talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inversion layer capacitance vok. Inversionsschichtkapazität, f rus. ёмкость инверсионного слоя, f pranc. capacité de la couche d inversion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
inversion layer capacitance — apgrąžinio sluoksnio talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inversion layer capacitance vok. Inversionsschichtkapazität, f rus. ёмкость инверсионного слоя, f pranc. capacité de la couche d inversion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
МДП-СТРУКТУРА — (металл диэлектрик полупроводник) структура, образованная пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлич. электродом (затвором M, рис. 1). При подаче на МДП с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с … Физическая энциклопедия
Динамическое изменение напряжения — (англ. Dynamic Voltage Scaling, DVS) технология позволяющая уменьшать энергопотребление (а также перегрев) компьютерной системы в зависимости от её загрузки путём снижения тактовой частоты ЦПУ и напряжения его питания. Мощность,… … Википедия
High-k — High k технология производства МОП полупроводниковых приборов с подзатворным диэлектриком, выполненным из материала с диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния. Название происходит от диэлектрической константы материала … Википедия