ёмкость инверсионного слоя

ёмкость инверсионного слоя
apgrąžinio sluoksnio talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inversion layer capacitance vok. Inversionsschichtkapazität, f rus. ёмкость инверсионного слоя, f pranc. capacité de la couche d'inversion, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Нужен реферат?

Look at other dictionaries:

  • Inversionsschichtkapazität — apgrąžinio sluoksnio talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inversion layer capacitance vok. Inversionsschichtkapazität, f rus. ёмкость инверсионного слоя, f pranc. capacité de la couche d inversion, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • apgrąžinio sluoksnio talpa — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inversion layer capacitance vok. Inversionsschichtkapazität, f rus. ёмкость инверсионного слоя, f pranc. capacité de la couche d inversion, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • capacité de la couche d'inversion — apgrąžinio sluoksnio talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inversion layer capacitance vok. Inversionsschichtkapazität, f rus. ёмкость инверсионного слоя, f pranc. capacité de la couche d inversion, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • inversion layer capacitance — apgrąžinio sluoksnio talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inversion layer capacitance vok. Inversionsschichtkapazität, f rus. ёмкость инверсионного слоя, f pranc. capacité de la couche d inversion, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • МДП-СТРУКТУРА — (металл диэлектрик полупроводник) структура, образованная пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлич. электродом (затвором M, рис. 1). При подаче на МДП с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с …   Физическая энциклопедия

  • Динамическое изменение напряжения — (англ. Dynamic Voltage Scaling, DVS) технология позволяющая уменьшать энергопотребление (а также перегрев) компьютерной системы в зависимости от её загрузки путём снижения тактовой частоты ЦПУ и напряжения его питания. Мощность,… …   Википедия

  • High-k — High k  технология производства МОП полупроводниковых приборов с подзатворным диэлектриком, выполненным из материала с диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния. Название происходит от диэлектрической константы материала …   Википедия

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”